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#薄膜周报#他山之石可以攻玉—超强酸消除薄膜表面缺陷
发布:lee_9124   时间:2015/12/4 10:22:21   阅读:737 
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薄膜材料一周纵览
20151127—20151203
 
本期观点:他山之石可以攻玉—超强酸消除薄膜表面缺陷;新型扩散阻挡层让LED灯更亮;“出淤泥而不染”的抗污染涂层;威世推出新一代薄膜电阻。
 
1、他山之石可以攻玉—超强酸消除薄膜表面缺陷

Superacid Erases Thin Film Defects, Boosting Luminescence
 
 
 
在前几期的薄膜周报中,我们曾为大家介绍了二硫化钼(MoS2)这种物质,它具有类似石墨的层状结构,具有优异的光电学性能以及较好的变形能力,适合制备较复杂的光电学器件。但问题是MoS2的表面经常会存在大量的缺陷,这会大大影响其性能。
 
针对这一问题,来自加利福尼亚大学的研究人员使用超强酸—bistriflimide处理MoS2,使得其量子产额从<1%猛增到了100%,处理后的表面发光亮度比处理前高出两个数量级!!
 
该项技术的研究者Javey认为,这将可能会对低能耗电子设备的研制及升级起到重要作用。
 
相关研究结果已经发表在《Science》上,论文地址:
http://www.sciencemag.org/content/350/6264/1065.abstract?sid=bb9beb7e-8a0e-4302-bd68-c2215bee3375
 
2、新型扩散阻挡层让LED灯更亮

Thinning buffer layers for GaN-on-silicon light-emitting diodes
 
 
 
来自英国普列斯半导体有限公司(Plessey Semiconductors Ltd)的研究人员近日通过改善GaN和Si之间的扩散阻挡层,提高了GaN—Si型LED灯的性能。其制备的LED灯在输入电流为350mA时的输出能量可达563MW,电光转化效率达52.7%。
 
如上图(a)所示,阻挡层由三层膜复合而成,其中AlN膜200nm,AlGaN膜600nm,i—GaN膜800nm,三层膜均是通过金属有机物化学气相沉积法(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)制得。
 
相关研究结果已经发表在《Electron Devices Society》上,论文地址:
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=7174951 
 
3、“出淤泥而不染”的抗污染涂层

Totally repellent - Quick and easy coating process makes surfaces omniphobic
 
 
 
寻找一种能够防止灰尘以及液体侵入并且易于清洗的表面材料,是人类多年来的梦想。近日,该项技术取得了一定的进展。
 
来自美国的研究人员制备了一种能够防止油脂以及固体小颗粒侵入的表面涂层,并且这种涂层能够在较高的温度以及压力下保持稳定。其实这种涂层在5—6年前就已经被制备出来了,但是原有的涂层制备方法复杂,不利于实际生产。而这种由Liming Wang以及Thomas J. McCarthy制得的涂层,其制备过程极其简单:先将含有Me2Si(OMe)2的溶液涂在样品表面,然后干燥,最后濯洗表面就完成了。
 
这种涂层具有较好的韧性以及一定的耐高温性能,能够在几年甚至更长的时间里不发生失效,并且其制备工艺较同类材料更加简单易行。
 
相关研究成果已经发表在《Angewandte Chemie》上,论文地址:
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.201509385/abstract
 
4、威世推出新一代薄膜电阻

Vishay Intertechnology Dual-in-Line Thin Film Resistor Networks Enable Higher-Precision Voltage Dividers and Unity Gain Op Amps for Medical and Instrumentation Electronics
 
 
 
近日,威世科技有限公司发布了一系列新型双列直排高精度薄膜电阻。这种电阻的长只有1.1mm,其电阻随温度变化的偏移量仅为± 1 ppm/°C,容错率为± 0.01 %,并且在70°C下工作2000小时后电阻变化仅为0.015 %。
 
这种电阻与上一代产品相比具有体积更小、精确度更高等优点,对于促进电子器件的集成化具有一定的意义。
 

来源:材料人网
 
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